普通的離子滲氮爐的工藝需要3~10mbar的氣體壓力才能..等離子與基體的完全接觸。表面有小凹槽或螺紋等復雜形狀的基片，武漢離子滲氮爐設(shè)備的參數(shù)分布不同，會引起周圍電場的變化，從而改變該區(qū)域的離子濃度和離子轟擊能量。如果采用常規(guī)的等離子滲氮，離子碰撞更容易發(fā)生在等離子鞘層中。

在射頻等離子體設(shè)備的氮化過程中，等離子體的產(chǎn)生與襯底偏壓的控制是分開的，因此可以分別控制離子能量和襯底表面流量。由于較低的工作氣壓，滲氮效率可以提高。低能DC輝光放電用于產(chǎn)生氮化用的NH自由基。這些高活性自由基用于滲氮。整個過程需要外接電源加熱工件，過程類似氣體滲氮。這個過程不僅可以控制表面拓撲，還可以選擇是否形成復合層。可以控制復合層的厚度和擴散層的深度，而不改變表面結(jié)構(gòu)的特性。如果金屬表面有狹窄的縫隙和孔洞，通過這種工藝可以很容易地實現(xiàn)滲氮。

傳統(tǒng)的離子滲氮工藝采用DC或脈沖異常輝光放電，對滲氮低合金鋼和工具鋼有效，但對不銹鋼尤其是奧氏體不銹鋼無效。CrN在高溫滲氮過程中會析出，所以金屬表面非常堅硬耐磨，但缺點是容易腐蝕。該工藝制備的改性層中含有一種被稱為膨脹奧氏體的富氮層，這種富氮層已被低溫低壓放電技術(shù)成功解決。